NVIDIA Corp

Broadcom Inc

ASML Holding NV

Advanced Micro Devices Inc

Qualcomm Inc

Texas Instruments Inc

Applied Materials Inc

Analog Devices Inc

KLA Corp

Lam Research Corp

Micron Technology Inc

Intel Corp

Marvell Technology Inc

NXP Semiconductors NV

Infineon Technologies AG

Monolithic Power Systems Inc

Microchip Technology Inc

ASM International NV

ON Semiconductor Corp

First Solar Inc

Wolfspeed, Inc. is engaged in developing silicon carbide and gallium nitride (GaN) technologies for power and radio-frequency (RF) applications. The Company's product families include silicon carbide and GaN materials, power devices and RF devices targeted for various applications, such as electric vehicles, fast charging, 5G, renewable energy and storage, and aerospace and defense. Its silicon carbide material products consist of silicon carbide bare wafers, epitaxial wafers, and GaN epitaxial layers on silicon carbide wafers. Its power device products consist of silicon carbide Schottky diodes, metal oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs) and power modules. Its RF devices consist of GaN-based die, high-electron mobility transistors (HEMTs), monolithic microwave integrated circuits (MMICs), and laterally diffused MOSFET (LDMOS) power transistors that are optimized for telecommunications infrastructure, military and other commercial applications.

Wolfspeed, Inc. является новатором полупроводников Wolfspeed power and radio frequency (RF). Компания имеет штаб-квартиру в Дареме, штат Северная Каролина, и в настоящее время работает 4017 штатных сотрудников. К продуктам фирмы относятся карбид кремния и материалы GaN, электрические устройства и устройства RF, предназначенные для различных применений, таких как электромобили, быстрая зарядка, 5G, возобновляемая энергия и хранение, а также аэрокосмическая и оборонная. Его карбид кремния состоит из карбида кремния голые ваферы, эпитаксиальных ваферов и эпитаксиальных слоев GaN на карбиде кремния. Его продукты питания состоят из карбида кремния Schottky диоды, полупроводниковых полупроводниковых транзисторов (MOSFET) и электромодулей. Его устройства RF состоят из скончаний на основе GaN, высокоэлектронных подвижных транзисторов (HEMT), монолитных микроволновых интегральных цепей (MMIC), а затем диффузированных MOSFET (LDMOS) транзисторов, которые оптимизированы для телекоммуникационной инфраструктуры, военных и других коммерческих приложений.

Wolfspeed Inc

Wolfspeed, Inc.

Wolfspeed Average growth rate (2y)

What is Average growth rate (2y) ?

What is Average growth rate (2y) of Wolfspeed ?