NVE Corp. engages in the development and sale of devices that use spintronics, a nanotechnology that relies on electron spin rather than electron charge to acquire, store, and transmit information. The company is headquartered in Eden Prairie, Minnesota and currently employs 47 full-time employees.  The firm manufactures spintronic products, including sensors and couplers that are used to acquire and transmit data. The firm has also licensed its spintronic magnetoresistive random access memory technology (MRAM). Its parts are primarily used in industrial, scientific, and medical applications, as well as the Industrial Internet of things. The firm's products include sensors, couplers, and MRAM products. Its sensor products detect the strength or gradient of magnetic fields and are often used to determine position or speed. Its spintronic couplers combine a giant magnetoresistance (GMR) sensor element and a microscopic coil. MRAM uses spintronics to store data. The company combines the speed of static random-access memory (SRAM), the density of dynamic random-access memory (DRAM) and the nonvolatility of flash memory.

NVE Corp. занимается разработкой и продажей устройств, которые используют спинтроник, нанотехнологии, которые полагаются на электронный спин, а не на электронный заряд для приобретения, хранения и передачи информации. Компания имеет штаб-квартиру в Эдене Прайри, штат Миннесота, и в настоящее время работает 47 штатных сотрудников. Фирма производит спинтронные продукты, включая датчики и пароходы, которые используются для приобретения и передачи данных. Фирма также лицензировала свою технологию спинтронного магниторезизативного случайного доступа памяти (MRAM). Его части в основном используются в промышленных, научных и медицинских приложениях, а также в индустриальном Интернете вещей. Продукты фирмы включают датчики, пароходы и продукты MRAM. Его сенсорные продукты обнаруживают прочность или градиент магнитных полей и часто используются для определения положения или скорости. Его спинтронные пары сочетают гигантский сенсорный элемент магниторезистентности (GMR) и микроскопическую катушку. MRAM использует спинтроники для хранения данных. Компания сочетает в себе скорость статической памяти случайного доступа (SRAM), плотность динамической памяти случайного доступа (DRAM) и невольтность флэш-памяти.

Frequently Asked Questions