Navitas Semiconductor Corp. engages in the development of ultra-efficient gallium nitride (GaN) semiconductors. The company is headquartered in Torrance, California. The company went IPO on 2020-12-03. The firm is engaged in designing, developing and marketing gallium nitride (GaN) power integrated circuits (ICs) used in power conversion and charging. Power supplies incorporating its products are used in a range of electronics products including mobile phones, consumer electronics, data centers, solar inverters and electric vehicles. Navitas offers a portfolio of GaN power IC chips that optimize power delivery and reduce carbon footprint. Its GaN ICs are developed for high frequency, soft-switching applications and designed to unlock the material advantages of GaN while also integrating sensing, protection and reliability functions. Its chips feature monolithic integration of field-effect transistor (FET), drive and logic, performance powertrain building block. Its GeneSiC’s electronic components is a silicon carbide (SiC) technology-based solutions that enables in conserving energy in a range of high-power systems.

Navitas Semiconductor Corp. занимается разработкой сверхэффективных нитридов галлия (GaN) полупроводников. Компания имеет штаб-квартиру в Торрансе, штат Калифорния, и в настоящее время работает 162 штатных сотрудника. Компания вышла на IPO 2020-12-03. Фирма занимается проектированием, разработкой и маркетингом галлия nitride (GaN) энергетических интегральных схем (ICs), используемых в преобразовании мощности и зарядке. Принадлежности к электроснабжению, включающие ее продукцию, используются в различных электронных продуктах, включая мобильные телефоны, потребительскую электронику, дата-центры, солнечные инверторы и электромобили. Navitas предлагает портфель чипов GaN power IC, которые оптимизируют доставку электроэнергии и уменьшают углеродный след. Его GaN IC разработаны для высокочастотных, мягких приложений и предназначены для разблокировки материальных преимуществ GaN, а также для интеграции функций зондирования, защиты и надежности. Его чипы имеют монолитную интеграцию полевого транзистора (FET), привод и логику, строительный блок силовых агрегатов. Его электронные компоненты GeneSiC’s - это технологические решения на основе карбида кремния (SiC), которые позволяют сохранить энергию в ряде высокомощных систем.

Frequently Asked Questions